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CASE

    “战略性先进电子材料”重点专项 2020 年度项目申报指南建议 ...

    2019年10月9日  考核指标:研制出基于QCL的C同位素检测系统样机, C13/C12同位素比例检测精度优于0.5‰,满足对幽门螺旋杆 菌感染进行高敏、快速、无创伤检测需求;基于QCL建立2021年12月8日  由全球能源互联网研究院有限公司牵头的国家重点研发计划项目“碳化硅大功率电力电子器件及应用基础理论研究”项目综合绩效评价会议于2021年12月7日在北京京都信苑饭 国家重点研发计划项目“碳化硅大功率电力电子器件及应用基础 ...

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    碳化硅,第三代半导体时代的中国机会 - 人民网

    2021年7月21日  今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出,我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生 ...2024年6月14日  ——各省市碳化硅行业发展目标解读. 从各省市主要政策目标的规划来看,全国主要省市的政策方向主要从加强产业链技术基础和提升碳化硅产品性能两个方面入手,北京率先 重磅!2024年中国及31省市碳化硅行业政策汇总及解读(全 ...

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    增资合肥露笑半导体,加码扩产碳化硅衬底

    2022年1月5日  内容目录. 1、 布局碳化硅衬底,助力第三代半导体产业链上游国产化 ...................... 3. 2、 碳化硅衬底工艺壁垒及价值量双高,目前处于国产化前夜 ................... 4. 2.1 碳化硅助力能 2021年7月21日  今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出,我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业。碳化硅,第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...

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    芯趋势丨碳化硅的新战役和新战场 - 21经济网

    2024年6月27日  国内产业链生态联动是重要途径。. 21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道. 当前,飞速发展的碳化硅市场一方面出现了降价竞争态势,另一方面新的市场应用也在次第出现 2023年12月5日  一、科学目标. 针对高功率密度SiC器件高功率密度封装的电磁热力协同调控、封装材料、封装结构、可靠性及系统集成等瓶颈问题,提出SiC器件高功率密度封装多物理场多 “十四五”规划,重大项目---碳化硅(SIC)在列了; - 知乎专栏

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    碳化硅材料项目实施方案_百度文库

    以下是碳化硅材料项目实施方案的内容要点:1.目标和背景:明确项目的目标和背景,包括碳化硅材料的应用领域、市场需求、技术创新和发展趋势等。2022年5月21日  值得一提的是,据露笑科技关于完成2021年员工持股计划第一个解锁期业绩考核目标的公告,2021年1月~12月,露笑科技碳化硅累计实现销售收入3035.66 ...再融资观察|前次定增碳化硅项目大部分资金尚未使用 露笑 ...

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    中核北方碳化硅辐照样品出堆

    2020年5月14日  中核北方核燃料元件有限公司自主研制的碳化硅复合材料包壳管于2020年4月完成高注量辐照考验,顺利出堆!本次辐照的目的是完成两种工艺路线的筛选,通过两种工艺制备的碳化硅复合材料包壳管辐照前后的性能对比,确定适用于反应堆运行的工艺路线。4 天之前  部分考核 项目及测试条件: 蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A ... 成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅 功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾 蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考

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    碳化硅 (sic)半导体材料生产建设项目可行性研究报告

    2021年4月3日  碳化硅sic半导体材料生产线建设项目可行性研究报告中咨国联出品二二一二二一年三月目 录第一章 总 论11.1项目概要 ... 半导体材料行业生产高品质产品的需要133.2.4符合中国制造2025 “三步走”实现制造强国战略目标133.2.5提升我国碳化硅 (sic ...2013年4月23日  2012年,青海省共淘汰各类落后产能63.89万吨、1845万米,圆满完成了国家下达的目标任务。4月15日至17日,国家淘汰落后产能第十考核组对青海省去年淘汰落后产能工作进行检查考核,并对青海省淘汰落后产能工作给予了“领导重视,工作超前,措施得力,标准更高”的 青海完成淘汰落后产能目标任务 通过考核组检查 - 中国政府网

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    碳化硅精细陶瓷生产线项目可行性研究报告.docx - 人人文库

    2024年8月8日  2、绩效目标绩效目标是对项目执行过程中各个方面绩效的要求和期望,如时间、质量、成本等,有利于评估项目的执行情况。3 ... 绩效和薪酬管理是碳化硅 精细陶瓷生产线项目中至关重要的一环,它直接影响着员工的积极性和生产力,进而影响 ...2022年6月23日  蓉矽半导体丨可靠性考核 其中,碳化硅二极管作为第三代半导体材料在大功率PFC电路中是必不可少的,凭借碳化硅二极管的高频性能 ... 应用场景出发,开发符合客户应用需求的高性能,高可靠性的产品,而不仅是推出没有明确目标与应用场景的 ...蓉矽半导体1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列 ...

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    碳化硅晶圆产业链的核心:外延技术 - 电子工程专辑 EE ...

    2023年8月8日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法,温度高达2000多度,且加工周期比较长,产出比较低,因而碳化硅衬底的成本是 2024年4月18日  业绩考核目标 未完成的公告 露笑科技股份有限公司(以下简称“公司”)第五届董事会第六次会议、第五 ... 2021年、2022年、2023年,公司碳化硅累计实现销售收入低于5 亿元,第 三个解锁期业绩考核目标未完成。 根据《2021年员工持股计划管理 ...露笑科技股份有限公司 关于 2021 年员工持股计划第三个解锁 ...

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    SiC MOSFET 功率器件的应用可靠性评价 技术体系报告

    2022年11月1日  系统的整体功率密度。碳化硅 器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力电子 系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。 SiC MOSFET 是一种具有绝缘栅结构的单极性器件,关断过程不存在拖尾电流,降低了开关损耗 ...2021年12月31日  分值6分,综评得分4分,得分率66.67%。该指标得分率较低,主要是部分绩效目标 设置不科学,不能准确反映项目实施情况,随着实验室条件建设、人员队伍、产出能力的不断增强,绩效指标应符合实验室建设发展的实际情况 ...2020年省部共建国家重点实验室项目绩效评价报告 - Shandong

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    露笑科技股份有限公司 关于 2021 年员工持股计划第三个解锁 ...

    2024年4月18日  业绩考核目标 未完成的公告 露笑科技股份有限公司(以下简称“公司”)第五届董事会第六次会议、第五 ... 2021年、2022年、2023年,公司碳化硅累计实现销售收入低于5 亿元,第 三个解锁期业绩考核目标未完成。 根据《2021年员工持股计划管理 ...2023年3月31日  业绩考核目标 未完成的公告 露笑科技股份有限公司(以下简称“公司”)第五届董事会第六次会议、第五 ... 经初步核算,2021年1-12月,公司碳化硅累计实现销售收入超过3,000 万 元,完成第一个解锁期业绩考核目标。具体内容详见公司2022年5月5日 ...露笑科技股份有限公司 关于 2021 年员工持股计划第二个解锁 ...

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    重磅!2024年中国及31省市碳化硅行业政策汇总、解读及 ...

    2024年6月14日  从各省市主要政策目标的规划来看,全国主要省市的政策方向主要从加强产业链技术基础和提升碳化硅产品性能两个方面入手,北京率先发展碳化硅等第三代半导体产业的要求,上海将战略发力点着重于碳化硅、第三代半导体产品的具体性能,其他区域如湖北2022年4月13日  2021年10月26日 2021年度目标管理绩效考核办法 为认真贯彻落实市委市政府决策部署,紧紧围绕年度工作目标任务,坚持服务大局、突出重点、公平公正、有效激励,着力发挥考核的导向作用,充分激发全体干部职工的工作积极性和担当精神,强化全局干部职工履职尽责、创优争先意识,促进年度各项 ...关于印发《2021年度目标管理绩效考核办法》《2021年市直 ...

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    Pcore™6 -汽车级HPD碳化硅MOSFET模块 - 深圳基本 ...

    2024年9月27日  Pcore ™ 6 系列模块 是一款非常紧凑的功率模块,专为混合动力和电动汽车提升效率应用而设计,功率模块采用了先进的有压型银烧结工艺和高性能铜线键合技术,使用氮化硅AMB陶瓷基板,以及直接水冷的PinFin结构,产品具有低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性(高于AQG-324参考 ...2023年7月20日  在测试中,需持续监测碳化硅MOSFET源极-漏极的漏电流。试验前后都要进行电应力测试,如器件静态参数测试结果超出规定范围,则判定为失效。02 HTGBHTGB(High Temperature Gate Bias)是针对碳化硅MOSFET进行的最重要的可靠性项目,主要用于验证栅极漏电流的稳定性,考验对象是碳化硅MOSFET栅极氧化层。SiCer小课堂 碳化硅功率器件可靠性测试方法详解 - 知乎

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    英飞凌碳化硅:目标、中国衬底和十八般兵器(一)

    2023年5月29日  从另一个角度来看,英飞凌在碳化硅市场的市占率长期目标为30%,这意味着管理层对5年后碳化硅器件市场的TAM预估为100亿欧元。 如果碳化硅器件CR5(意法、英飞凌、Wolfspeed、罗姆和安森美)还如过去一样占据超过85%的总份额, 那留给中国国产碳化硅芯片的市场只有10亿美元左右了,任重道远。2020年10月9日  完成了组织目标在各业务部门和团队之间的横向分解之后,接下来便进入绩效目标分解的第二步,即将部门目标进一步纵向分解到部门内的每一个团队或员工身上。最终的原则是,每个团队或员工的业务指标相加应该等于部门的总绩效指标。如何制定合理的绩效目标? - 知乎

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    芯趋势丨全球碳化硅技术竞速,拐点在2025年揭晓? - 21经济网

    2024年8月22日  全球碳化硅材料的主要供应商Wolfspeed在2024财年第四财季合并收入约为2.01亿美元,同比微降约1%。其中,该公司全自动化8英寸Mohawk Valley碳化硅工厂贡献了约4100万美元收入,约占公司总收入的20.4%;预估下一个财季目标收入约5500万美元。2020年2月20日  绩效指标是对绩效目标的一种量化的表达,是对绩效目标的承载。 在绩效考核中,绩效指标的设计是一个难点,也是关键。 我们经常看到很多公司设计了繁多的绩效指标,但却没有抓到关键的牵引,结果看起来很美,却无 绩效目标和绩效指标如何设定?教你几招就搞定!

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    蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV ...

    2024年6月25日  蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V,而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证,同时对于应用端特别关注2024年7月22日  7月8日到10日,在慕尼黑上海电子展E4馆内,英飞凌展示了第三代半导体的产品解决方案。记者探访展台的时候,看到如下方案:一是新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET的相关产品;二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相关产品。展台工作人员 ...重磅!英飞凌发布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和数字 ...

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    全球加速碳化硅产能扩充-全球半导体观察

    2024年3月18日  近期,备受关注的碳化硅 市场又有了新动态,涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。 三菱电机SiC工厂预计4月开建 ... 电机将在全工序段引入自动输送系统,打造生产效率高的生产线,并计划逐步提高产能,目标在2026财年将SiC产能提升5倍(与 ...2024年6月7日  2024年碳化硅营收增速调低至20% 2024年仅增长1.5-2亿美元 2023年增长5亿美元 2025年碳化硅营收目标减少11亿RMB 2027年目标减少27亿RMB 2023年碳化硅营收减少2个亿美元 国内头部厂商 10 20 23 2024E 士兰微2024碳化硅营收预期(亿RMB) 12.51 24.612024年碳化硅白皮书产业调研阶段性成果发布

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    国产碳化硅模块上车进展顺利,主驱为核心应用场景

    2022年9月5日  (2)考核年度绩效考核结果为良好,当期个人可行权比例Y=80%;(3)考核年 度绩效考核结果为合格,当期个人可行权比例Y=60%;(4)考核年度绩效考核 结果为不合格,当期个人可行权比例Y=0%。 本周专题:国产碳化硅模块上车进展顺利,主驱为核心2024年6月19日  在当前绿色低碳化转型的大背景下,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体,作为新材料和新技术拥有巨大的市场机遇,已开始大量应用于新能源 ...英飞凌:目标是2030年前实现全球30%碳化硅市场份额|一 ...

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    碳化硅纤维行业研究:航空发动机热端结构理想材料 - 知乎

    2022年7月13日  2.1.碳化硅(SiC)纤维 碳化硅纤维性能良好,常用作耐高温材料和增强材料。碳化硅纤维是一种以碳和 硅为主要成分的高性能陶瓷材料,从形态上分为晶须和连续碳化硅纤维,具有高温耐 氧化性、高硬度、高强度、高热稳定性、耐腐蚀性和密度小等优点。2023年7月20日  HTGB(High Temperature Gate Bias) 是针对 碳化硅MOSFET进行的最重要的可靠性项目,主要用于验证栅极漏电流的稳定性,考验对象是碳化硅MOSFET栅极氧化层。 在高温环境下对栅极长期施加电压会促使栅极的性能加速老化,且碳化硅MOSFET的栅极长期承受正电压,或者负电压,其栅极阈值 电压 V GSth 会发生 漂移。SiCer小课堂 碳化硅功率器件可靠性测试方法详解 - 深圳基本 ...

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